随着电子器件的日趋精密、小型化发展,高质量导电浆料的研发越来越受到重视[1-2].目前,研究较多的导电浆料有金浆、银浆、铜浆等.Ag的导电性较好,但价格很高,且Ag在使用过程中会发生Ag+的迁移现象,导致产品性能下降,限制其使用范围[3].而Au的导电性和稳定性较好,但其价格极为昂贵.Cu作为贱金属,来源广泛,相比于其他贱金属填料,铜的体积电阻率与银相近,其价格却仅为银的1/100~1/120,是制备导电浆料较为理想的导电填料.但铜的化学性质比较活泼,在常温下与空气接触就会被氧化而形成氧化膜,使其导电性降低[4-10].为提高铜浆料的导电性,目前大多数研究主要集中在铜电子浆料的抗氧化性上[11].近年来,研究人员在铜粉表面抗氧化性研究方面取得了许多重要进展,主要包括金属包覆法(如银包覆铜粉)、非金属包覆法(主要包括缓蚀剂法、偶联剂法、磷化处理法等方法)以及其他抗氧化法[12-13].廖辉伟等[14]采用化学镀法制取包覆型铜-银双金属粉;罗艳等[15]将铜粉在甲醇-油酸混合溶液中进行油酸预包覆,然后以异丙醇为分散介质,TEOS和A酸为原料,在Ar气保护下采用溶胶-凝胶法对油酸预包覆的铜粉进行SiO2-A1系薄膜的二次包覆.但上述方法并未完全解决浆料的导电性问题,故本文采用添加导电增强相的方法来提高浆料的导电性.
本文以表面改性的贱金属铜粉为主要导电相,添加少量导电性优异的石墨纳米片材料作为导电增强相, 制备出一种新型石墨纳米片-铜复合电子浆料.石墨纳米片电阻率比铜或银更低[16-18],添加石墨纳米片有望大幅度提高铜电子浆料的导电性.
1 实验 1.1 实验原料选用直径5 μm的铜粉作为导电相,参数详见表 1,扫描电镜照片如图 1(a)所示.选用3种不同的石墨纳米片作为导电增强相,参数详见表 2,扫描电镜照片如图 1(b)、(c)、(d)所示.按照一定比例称取松油醇、乙基纤维素、消泡剂、硅烷偶联剂、乙酸乙酯混合,加热并充分搅拌使其溶解,制备所需有机载体,同时选用熔点为430 ℃的玻璃粉作为粘结相.
铜粉本身化学性质活泼,在空气中极易被氧化,在表面形成一层氧化铜或者氧化亚铜,从而影响导电铜膜的电性能.为除去铜粉表面的氧化物,需要对铜粉进行表面改性.操作步骤如下:
1) 酸洗:往5 μm铜粉中加入适量(铜粉体积的2倍左右)稀盐酸(质量分数8%),用超声波仪震荡使铜粉分散均匀,酸洗去除铜粉表面氧化物.
2) 水洗:将酸洗过的铜粉用去离子水冲洗若干次.
3) 醇洗:待冲洗干净后,用乙醇对铜粉进行醇洗.
4) 包覆:往盛放铜粉的容器中分别加入丙烯酸树脂进行处理(铜粉体积的3倍左右),超声波分散20 min,同时进行45 ℃水浴加热,静置后倒掉容器中多余的溶液.
5) 烘干:经过丙烯酸树脂包覆的铜粉放入自蔓延燃烧合成反应斧中,在氮气保护下,以10 ℃/min加热到100 ℃,并保温2 h烘干铜粉.
1.3 石墨烯片-铜复合电子浆料制备工艺流程石墨烯片-铜复合电子浆料的制备可以分为3个阶段,具体操作步骤如下:1) 将处理过的铜粉与石墨烯片、有机载体、玻璃粉按一定比例混合,将混合物搅拌研磨均匀;2) 通过手工丝网印刷的方式将浆料均匀印刷在陶瓷基板上;3) 将印刷在基板上的浆料放入自蔓延燃烧合成反应斧进行烧结,在氮气氛保护下,烧结温度为460 ℃并保温20 min,冷却取出后,在室温环境下放置1~2 h即制得石墨烯片-铜电子浆料导电膜层.
2 结果与讨论 2.1 石墨纳米片对石墨纳米片-铜电子浆料导电性能的影响 2.1.1 石墨纳米片参数的影响如表 3所示,本文采用3种不同规格的石墨纳米片作为导电增强相,并且石墨纳米片与铜粉质量比为2:98,制备电子浆料试样,并测量试样不同部位的电阻率至少5次后取平均值,研究石墨纳米片参数对浆料导电性的影响.
如表 3所示,添加适量的石墨纳米片可以有效提高浆料的导电性.作为导电增强相,片径5 μm、厚度3~5 nm的石墨纳米片所制备的浆料电阻率更小.这是因为未添加石墨纳米片的铜电子浆料表面存在大量孔洞,导电相之间接触不紧密,如图 2(a)所示.片径5 μm、厚度3~5 nm的石墨纳米片厚度较薄,层数较少,其自身导电性较好,且相同质量的石墨纳米片,石墨纳米片厚度越薄,其层数越多,添加到浆料中形成导电网络的机会就越多,并且可以有效填充铜粉之间的间隙,大幅度改善复合导电浆料的导电性,如图 2(c)所示.反之,片径太大,甚至超过了铜粉的直径(粒径)不能很好地填充铜粉间隙,导电性较差,如图 2(b)和(d)所示.因而后续实验采用片径5 μm、厚度3~5 nm的石墨纳米片作为实验材料.
采用四探针电阻率测试仪测定石墨纳米片添加量对电阻率的影响,选定6组不同的石墨纳米片与铜粉质量比,每种试样测5组数据取其平均值,结果见图 3.由图 3可见:随着石墨纳米片质量分数的增加,浆料的电阻率呈先减小后增大的趋势;石墨纳米片与铜粉的质量比为2:98时,其电阻率相对最小,为17.14 mΩ·cm,相比于纯铜电子浆料降低了50.22%.
石墨纳米片作为导电增强相,可以填充在铜粉之间或在铜粉之间形成搭桥,增强导电相之间的连接,从而提高浆料的导电性.理论上来说,导电相含量越多,浆料导电性越好.但是,随着石墨纳米片含量的增加,浆料的印刷效果越来越差.在实验中发现,石墨纳米片含量过高时,浆料印刷时不能完整覆盖陶瓷基板.这是因为,在电子浆料制备过程中,石墨纳米片与铜粉的接触取决于二者的体积比,而石墨纳米片是一种密度较小的纳米材料,随着其比例的增加,石墨纳米片体积较大.如表 4所示,根据石墨纳米片与铜粉质量比及其密度,计算出二者体积比,虽然其添加量较少,但其体积所占比例较大;且石墨纳米片难以分散,在制备电子浆料的过程中可能会出现研磨不均匀,使得浆料不够均匀且黏度急剧增加,在其他组分相同条件下,印刷性能随之急剧下降.
选定不同的石墨纳米片与铜粉比例,制成石墨纳米片-铜电子浆料试样,通过扫描电镜对5组试样进行观察.如图 4(a)和(b)所示,石墨纳米片质量分数为2%时,部分石墨纳米片在浆料中可形成网状结构,形成良好的导电网络,部分石墨纳米片颗粒可填充孔洞,增加导电相连接,微观组织比较紧密且较均匀,此时浆料具有良好的印刷性.
如图 4(c)和(d)所示,若石墨纳米片含量较多,其与铜粉体积比较大,会使浆料变得粘稠,难以混合均匀,微观组织不均匀,此时丝网印刷效果变差,会出现印刷不全、断线的现象,进而影响导电膜层工艺性能.
2.3 石墨烯片在铜电子浆料导电膜层中的作用利用阿基米德排水法测出电子浆料的实际密度,利用公式ρ=∑vi ρi,算出理论密度,从而计算出浆料的致密度和孔隙率,其中,vi代表材料的体积分数,ρi代表材料的实际密度.如表 5、表 6所示,烧结后的浆料相比于烧结前孔隙率显著下降,加入石墨烯片的铜电子浆料致密度优于纯铜电子浆料.
根据表 5、表 6、石墨纳米片-铜电子浆料SEM图以及理论分析,建立了如图 5所示的电子浆料导电相连接情况的几何模型.未加入石墨纳米片的铜电子浆料的导电相接触不是特别紧密,孔隙率较大,导电性能较差,如图 5(a)所示.烧结后,导电膜层发生收缩,起到拉紧作用,孔隙随之减小,使得浆料膜层中导电相颗粒相互紧密接触结合,电子浆料导电性得到显著的改善,如图 5(c)所示.加入石墨纳米片后,部分石墨纳米片折断后形成小的石墨纳米片,这些小的石墨纳米片分布在铜粉表面或铜粉间隙,来增加导电相之间的连接,从而有利于提高浆料膜层的导电性;原始石墨纳米片或者虽折断但仍然较大的石墨纳米片,则会搭接在铜粉颗粒之间,形成所谓“搭桥”现象;石墨纳米片彼此之间也会形成搭桥,形成石墨纳米片网络,来增加导电相之间的连接,从而大幅提高导电浆料膜层的导电性,如图 5(b)所示.
从图 6可以看出,在氮气氛下460 ℃烧结后并保温20 min所得的复合浆料烧结膜中含有Cu、Al2O3、C 3种物质,主衍射峰为Cu,局部放大可看到微弱的碳材料的馒头峰,未出现Cu2O衍射峰,并且未见石墨烯片的衍射峰.
烧结膜中含有Al2O3是因为, Al2O3基板在烧结时有少量渗透到浆料中, 或者X射线穿透烧结膜层而显示出Al2O3基板的结构.这说明导电膜层的主导电相为Cu,且表面未被氧化.
3 结论1) 当石墨纳米片与铜粉质量比为2:98时为混合导电相的较佳比例,电阻率为17.14 mΩ·cm,与纯铜膜层电阻34.43 mΩ·cm相比提升了50.22%.
2) 选用片径5 μm、厚度3~5 nm的石墨纳米片制备的复合浆料,其电阻率较小,主要归因于少量导电性能优异的石墨纳米片的强化,片径越小层数越少的石墨纳米片所制备的浆料导电性能越好.
3) 在导电膜层中,折断或破碎后的石墨纳米片会形成小的石墨纳米片,可以有效填充铜粉之间的间隙,原始石墨纳米片或者虽折断但仍然较大的石墨纳米片,在铜粉颗粒之间搭桥,石墨纳米片之间也会形成导电网络,增加导电相之间的连接,有效的改善了浆料的导电性.
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