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主管单位 中华人民共和国
工业和信息化部
主办单位 中国材料研究学会
哈尔滨工业大学
主编 苑世剑 国际刊号ISSN 1005-0299 国内刊号CN 23-1345/TB

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引用本文:王荣,齐世龙.电子束扫描铝硅合金熔凝特征[J].材料科学与工艺,2012,20(3):56-61.DOI:10.11951/j.issn.1005-0299.20120311.
WANG Rong,QI Shi-long.Melting-solidifying characteristics of Al-Si alloy with electron-beam scanning[J].Materials Science and Technology,2012,20(3):56-61.DOI:10.11951/j.issn.1005-0299.20120311.
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电子束扫描铝硅合金熔凝特征
王荣, 齐世龙
桂林电子科技大学 机电工程学院,广西 桂林 541004
摘要:
为研究电子束扫描铝硅合金表面的熔化及凝固特征,基于价电子理论计算了合金内各相的价电子结构;利用金相显微镜、扫描电镜、显微硬度计等测试了试样微观组织与机械性能;分析了凝固后硅相形貌尺寸对材料硬度的影响;探讨了硅相中心产生裂纹的原因.研究表明:硅相及共晶体的结构破坏要比铝的结构破坏难;电子束表面熔凝处理后,试样分为熔化区、过渡区和基体三个区域;且经电子束扫描处理后,硅相得到了明显细化;熔化区内硅相的形貌尺寸小于8.5 μm,该区的最高硬度是基体硬度的1.39倍;溶解后硅相周围的密度差是硅相中心产生裂纹的原因.
关键词:  电子束扫描  铝硅合金  熔化  凝固
DOI:10.11951/j.issn.1005-0299.20120311
分类号:TG386
基金项目:广西自然科学基金项目(2010GXNSFA013028);广西重点实验室项目(09-007-05_016);研究生创新项目(2010105950802 M 05)
Melting-solidifying characteristics of Al-Si alloy with electron-beam scanning
WANG Rong, QI Shi-long
College of Mechanical and Electronic Engineering,GuiLin University of Electronic Technology,Guilin 541004,China
Abstract:
In order to research the melting and solidification characteristics of aluminum silicon alloy with electron beam scanning,the valence electronic structure of phases on alloy have been calculated based on the "Empirical Electronic Theory in solid and molecule"(EET).The microstructure and mechanical properties are respectively measured by means of the optical microscopy,scanning electron microscope and microhardness tester.The effects of the dimensions of silicon on the hardness of alloy are analyzed.The reason which is the cause of a crack on the center of silicon is discussed.The experimental results show that it is more difficult for Silicon and eutectic structure to destroy than that of aluminum.After the electron beam surface scanning,samples are divided into melting zone,transition zone and matrix zone,and Silicon is obviously refined.The morphology size of the silicon in melting zone is less than 8.5 μm,its highest hardness is 1.39 times of that in substrate.The cause of crack in center of silicon is the density difference around silicon after dissolving.
Key words:  Electron-Beam Scanning  Al-Si alloy  melting  solidification

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