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哈尔滨工业大学 主编 苑世剑 国际刊号ISSN 1005-0299 国内刊号CN 23-1345/TB

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引用本文:田 甜,田小亭,周宏伟,白福全,王 强.银掺杂TNA的光电性能及阻抗谱研究[J].材料科学与工艺,2014,22(1):14-18.DOI:10.11951/j.issn.1005-0299.20140103.
TIAN tian,TIAN Xiaoting,ZHOU Hongwei,BAI Fuquan,WANG Qiang.Photoelectronic performance and EIS of the Ag modified TNA[J].Materials Science and Technology,2014,22(1):14-18.DOI:10.11951/j.issn.1005-0299.20140103.
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银掺杂TNA的光电性能及阻抗谱研究
田 甜1,2 ,田小亭2,周宏伟2,白福全2,王 强2
(1.西北工业大学 凝固技术国家重点实验室,西安 710072;;2.中国兵器工业第五二研究所,包头 014034)
摘要:
为深入研究银掺杂对氧化钛纳米管阵列光电性能的影响,采用光沉积的方法对氧化钛纳米管阵列进行了掺银修饰,通过瞬态电流变化、短路电流开路电压测试、电化学阻抗谱等研究了掺银氧化钛纳米管阵列的光电性能.研究结果表明,银粒子的引入能降低电子跃迁需要的激发能量,增加光生电子转移的途径,有效提高氧化钛纳米管阵列的光电性能.
关键词:  银掺杂  氧化钛纳米管  阻抗  光电性能
DOI：10.11951/j.issn.1005-0299.20140103
分类号:
基金项目:国家自然科学基金资助项目(51271148)；浙江省科技计划项目(2013C31051).
Photoelectronic performance and EIS of the Ag modified TNA
TIAN tian1,2, TIAN Xiaoting2, ZHOU Hongwei2, BAI Fuquan2, WANG Qiang2
(1. State Key Laboratory of Solidification Processing,Northwestern Polytechnical University, Xi′an 710072,China; ;2. No.52Institute of China Ordnance Industries,Baotou 014034,China )
Abstract:
Key words:  

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