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哈尔滨工业大学 主编 苑世剑 国际刊号ISSN 1005-0299 国内刊号CN 23-1345/TB

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引用本文:马运柱,刘 业,刘文胜,龙路平.电子束端面熔炼法制备高纯钨的研究[J].材料科学与工艺,2014,22(1):30-35.DOI:10.11951/j.issn.1005-0299.20140106.
MA Yunzhu,LIU Ye,LIU Wensheng,LONG Luping.Preparation procedure of high purity tungsten via electron beam side surface melting[J].Materials Science and Technology,2014,22(1):30-35.DOI:10.11951/j.issn.1005-0299.20140106.
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电子束端面熔炼法制备高纯钨的研究
马运柱,刘 业,刘文胜,龙路平
(中南大学 粉末冶金国家重点实验室,长沙410083)
摘要:
采用250kW的电子束熔炼炉对纯度为99.955％的钨棒进行提纯研究,利用扫描电镜、电感耦合等离子体光谱法(ICP-MS)和微米压痕仪分别对原料钨棒和熔炼后钨锭的形貌、纯度和显微硬度进行观察和测试．研究表明:在电子束轰击原料钨棒的过程中,钨棒端面的边缘最先熔化;经电子束熔炼后,钨棒的整体纯度显著提高,达到了99.975％,间隙杂质O和C的脱除率分别达到55.5％和45.8％;非间隙杂质的蒸汽压与脱除率密切相关,高蒸汽压的杂质元素Cd、As、K、Mg脱除较为完全,其脱除率分别为95％、90％、75％和71.4％,在钨棒中含量分别降至1、1、5和10μg/g．
关键词:  电子束熔炼  高纯钨  净化提纯  间隙杂质  非间隙杂质
DOI：10.11951/j.issn.1005-0299.20140106
分类号:
基金项目:国家自然科学基金资助项目(50774098).
Preparation procedure of high purity tungsten via electron beam side surface melting
MA Yunzhu, LIU Ye, LIU Wensheng, LONG Luping
(State Key Laboratory for Powder Metallurgy, Central South University, Changsha 410083, China)
Abstract:
Key words:  

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