期刊检索

  • 2024年第32卷
  • 2023年第31卷
  • 2022年第30卷
  • 2021年第29卷
  • 2020年第28卷
  • 2019年第27卷
  • 2018年第26卷
  • 2017年第25卷
  • 2016年第24卷
  • 2015年第23卷
  • 2014年第22卷
  • 2013年第21卷
  • 2012年第20卷
  • 2011年第19卷
  • 2010年第18卷
  • 第1期
  • 第2期

主管单位 中华人民共和国
工业和信息化部
主办单位 中国材料研究学会
哈尔滨工业大学
主编 苑世剑 国际刊号ISSN 1005-0299 国内刊号CN 23-1345/TB

期刊网站二维码
微信公众号二维码
引用本文:胡盛青,万绍平,刘韵妍,舒阳会,谭春林.微波烧结、真空压力浸渗制备SiCp/Al电子封装材料[J].材料科学与工艺,2012,20(1):78-82,77.DOI:10.11951/j.issn.1005-0299.20120116.
HU Sheng-qing,,,,,WAN Shao-ping,LIU Yun-yan,SHU Yang-hui,TAN Chun-lin.SiCp/Al composites for electronic packaging prepared by microwave sintering and vacuum pressure infiltration[J].Materials Science and Technology,2012,20(1):78-82,77.DOI:10.11951/j.issn.1005-0299.20120116.
【打印本页】   【HTML】   【下载PDF全文】   查看/发表评论  下载PDF阅读器  关闭
←前一篇|后一篇→ 过刊浏览    高级检索
本文已被:浏览 2306次   下载 1816 本文二维码信息
码上扫一扫!
分享到: 微信 更多
微波烧结、真空压力浸渗制备SiCp/Al电子封装材料
胡盛青1, 万绍平1, 刘韵妍2, 舒阳会1, 谭春林1
1.湖南航天高新材料与装备技术研发中心,湖南长沙410205;2.湖南航天诚远精密机械有限公司,湖南长沙410205
摘要:
选用W10与W63两种SiC粉末,采用高、低温粘结剂配合,模压成型,750℃微波烧结,制备出体积分数为70.28%的SiC预制件,真空压力浸渗6063Al合金熔液,得到SiCp/Al复合材料.结果表明:复合材料XRD图谱中未出现明显的Al4C3界面相和SiO2杂相;致密度高;100℃时的热膨胀系数为7.239×10-6K-1;常温下热导率为160.42/W(m·K)-1;4mm×3mm×30mm规格样品的最大弯曲载荷为282N,弯曲位移为0.29mm左右;综合性能优良,是优异的电子封装材料.
关键词:  微波烧结  真空压力浸渗  SiCp/Al
DOI:10.11951/j.issn.1005-0299.20120116
分类号:TB331
基金项目:湖南省长沙市科技计划重点项目(K1003264-11).
SiCp/Al composites for electronic packaging prepared by microwave sintering and vacuum pressure infiltration
HU Sheng-qing,,,,1, WAN Shao-ping1, LIU Yun-yan2, SHU Yang-hui1, TAN Chun-lin1
1.High-tech material and equipment and technology R&D Center of Hunan Aerospace,Changsha 410205,China;2.Chengyuan Precision Machinery Co.,Ltd of Hunan Aerospace,Changsha 410205,China
Abstract:
The SiCp/Al composites with volume fraction 70.28% were fabricated by compression molding,750℃ Microwave Sintering and Vacuum Pressure Infiltration with W10 and W63 two kinds of SiC powder,6063 Al Alloy and high temperature adhesive combined with low temperature adhesive.The results show that there are no obvious Al4C3 interphase and impurity phase like SiO2 in the XRD pattern of the composites with high relative density and its Thermal Expansion Coefficient is 7.239×10-6K-1 at 100℃,the Thermal Conductivity is 160.42/W(m·K)-1 at normal temperature,the maximum bending load of the sample with the size of 4mm×3mm×30mm is 282N and the bending displacement is about 0.29mm.The SiCp/Al composites prepared with such excellent overall properties is good electronic packaging Material.
Key words:  Microwave Sintering  Vacuum Pressure Infiltration  SiCp/Al

友情链接LINKS